Front-illuminated senzor
Technologie výroby CCD senzoru, při které musí dopadající fotony jako první vrstvu překonat elektrody (Gate Electrode Structure) a až posléze narazí na vrstvu citlivou na světlo (Depletion), kde se vytvoří adekvátní náboj. Na vrstvě elektrody dochází k absorpci nebo reflexi světelného záření o různých vlnových délkách, což působí negativně na kvantovou účinnost senzoru. V porovnání s back-illuminated senzory vykazují front-illuminated senzory nižší kvantovou účinnost, ale výhodou je jejich nižší cena.
