CCD- und CMOS-Detektoren der Firma Hamamatsu zeichnen sich durch hohe Empfindlichkeit und einen großen Dynamikbereich aus, wodurch sie sich nicht nur für hochpräzise wissenschaftliche Messungen (Spektralphotometrie, Detektion schwacher Signale), sondern auch für industrielle Anwendungen eignen.
Strahlungsdetektion mittels Der modernste CCD-Sensortyp nutzt einen abgeschirmten Zwischenraum zur Speicherung und Auslesung der gewonnenen Ladung – die sogenannte Interline-Maske (kleiner abgeschirmter Bereich zwischen den aktiven Pixeln). (Charge Coupled Device) basiert auf dem Photoeffekt. Die erzeugten Ladungsträger werden in Potentialmulden eingefangen und gespeichert, die sich unter den Elektroden des CCD-Sensors in Abhängigkeit von der angelegten Spannung bilden. Durch die schrittweise Verschiebung der Ladung von einer Mulde zur nächsten wird diese an den Rand des Chips transportiert, wo sie mithilfe eines Wandlers in ein Spannungssignal umgewandelt wird.
Im Gegensatz zu CCD-Chips, bei denen das Signal von Pixel zu Pixel übertragen und anschließend in eine Spannung umgewandelt wird, wandeln CMOS-Sensoren (Complementary Metal Oxide Semiconductor)-Sensoren wandeln das Signal direkt im Inneren jedes Pixels in eine Spannung um.
Wir unterscheiden zwei Hauptgruppen von FFT (Full Frame Transfer) CCDs:
- CCD-Sensoren mit Frontbeleuchtung (front-illuminated CCD)
- dünnschichtige, von hinten beleuchtete CCD-Chips (back-thinned CCD), die eine höhere Quanteneffizienz bieten
