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Infrarotsensoren

Für den Infrarotbereich werden Detektoren auf Basis binärer (InAs, InSb, …) und ternärer (InGaAs, InAsSb, …) Verbindungen verwendet. Das Unternehmen Hamamatsu bietet eine breite Palette an Infrarotdetektoren an, die sich für eine Vielzahl wissenschaftlicher und industrieller Anwendungen eignen.

Man unterscheidet zwei Hauptuntergruppen von Infrarotdetektoren:

  • Einzelne Detektoren (OEM-Bauteile)
  • Detektionsmodule, die Detektor und Vorverstärker in einem Gehäuse integrieren

Wichtige Eigenschaften

  • Große Auswahl (verschiedene IR-Detektoren und Detektionsmodule)
  • Kühlungsmöglichkeiten (TE, flüssiger Stickstoff)
  • Lange Lebensdauer
  • Geringes Eigenrauschen
  • Breiter Spektralbereich
Miroslav Kořínek
Fachberater

RNDr. Miroslav Kořínek Ph.D.

+420 720 994 252

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Parameter

Arten von Infrarotdetektoren

Zu den Infrarotdetektoren gehören:

Standard-InGaAs-Fotodioden haben einen spektralen Empfindlichkeitsbereich von 0,9 bis 1,7 µm. Kurzwellige InGaAs-Detektoren decken bereits den Bereich ab 0,5 µm ab. Demgegenüber reichen langwellige Versionen bis zu 2,6 µm.

Hochgeschwindigkeits-InGaAs-Lawinenfotodioden der Firma Hamamatsu ermöglichen die Detektion schwacher Signale im infraroten Spektralbereich von 950 bis 1700 nm.

InGaAs-Fotodiodenarrays bestehen aus mehreren InGaAs-Fotodioden, die entweder zu einem Zeilensensor oder zu einer zweidimensionalen Matrix angeordnet sind.

Die photovoltaischen InAs-Detektoren der Firma Hamamatsu zeichnen sich durch eine hohe Geschwindigkeit in Kombination mit geringem Rauschen aus. Sie sind in der Lage, Infrarotstrahlung bis zu ca. 3,5 µm zu erfassen.

Photovoltaische InAsSb-Detektoren der Firma Hamamatsu zeichnen sich dank einer einzigartigen Kristallzüchtungstechnologie durch eine breite Spektralbandbreite bei hoher Empfindlichkeit aus (Bandbreite 5, 8 und 10 µm).

Thermoelektrisch gekühlte photoleitende InSb-Detektoren zeichnen sich durch hohe Geschwindigkeit und Empfindlichkeit aus. Sie sind in der Lage, Infrarotstrahlung bis zu einer Wellenlänge von mehr als 6 µm zu erfassen.

Zu den typischen Eigenschaften von photovoltaischen InSb-Detektoren gehören eine hohe Geschwindigkeit und ein geringes Rauschen. Sie bieten eine hohe Empfindlichkeit im Bereich zwischen 3 und 5 µm. Zu ihrer Kühlung wird flüssiger Stickstoff verwendet.

Zweifarben-Detektoren enthalten zwei verschiedene Fotosensoren, wobei ein Sensor über dem anderen entlang derselben optischen Achse angeordnet ist. Jeder von ihnen ist für einen anderen Spektralbereich empfindlich, sodass das gesamte Bauteil ein breites Strahlungsspektrum erfassen kann.

  • HgCdTe-Detektoren (MCT = Quecksilber-Cadmium-Tellurid-Sensoren)

Detektionsmodule

Diese Module vereinen einen Infrarotdetektor und einen Vorverstärker in einem Gehäuse. Für die Messung sehr schwacher Signale dienen Versionen mit thermoelektrischer Kühlung oder Kühlung mittels flüssigem Stickstoff.

Modell

Detektor

Obere Empfindlichkeitsgrenze

Kühlung

C12483-250

InGaAs

1,66 μm

thermoelektrisch

C12485-210

InGaAs

2,05 μm

thermoelektrisch

C12486-210

InGaAs

2,56 μm

thermoelektrisch

C12492-210

InAs

3,45 μm

thermoelektrisch

C12494-210M

InAsSb

8,3 μm

thermoelektrisch

C12494-210S

InAsSb

5,9 μm

thermoelektrisch

G6121

InGaAs

1,7 μm

ohne Kühlung

G7754-01

InGaAs

2,4 μm

flüssiger Stickstoff

G7754-03

InGaAs

2,4 μm

flüssiger Stickstoff

P4631-03

InSb

6,1 μm

thermoelektrisch

P7751-01

InSb

5,5 μm

flüssiger Stickstoff

P7751-02

InSb

5,5 μm

flüssiger Stickstoff

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Miroslav Kořínek

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