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HMS-Hall-Effekt-Messung

Das komplette Messsystem der Serie 8400 zur Messung des Hall-Effekts deckt ein möglichst breites Anwendungsspektrum ab, da es Messungen sowohl mit Gleichstrom- als auch wahlweise mit Wechselstrom-Magnetfeld ermöglicht. Das System ist in einer Version mit einem 4-Zoll-Magneten (8404) und in einer Version mit einem 6-Zoll-Magneten (8407) erhältlich.

  • Komplettsystem zur Messung des Hall-Effekts
  • Zur Messung der Ladungsträgermobilität von 1 bis 10⁶ cm²/V
  • Optional: Messung der Mobilität ab 10⁻³ cm²/V (Wechselstrom-Magnetfeld)
  • Temperaturmodul mit Temperaturregelung von 15 K bis 1273 K
  • Gleichstrom-Magnetfeld bis zu 2,25 T (Modell 8404) bzw. bis zu 1,67 T (Modell 8407)
  • Widerstandsbereich von 0,5 mΩ bis 10 MΩ (optional bis zu 200 GΩ)
OptiXs care

  • Wir beraten Sie fachkundig zu Ihrer geplanten Anwendung
  • Unser Team ist in der Lage, das Produkt in ein größeres System zu integrieren
  • Wir sorgen für eine schnelle Lieferung von Ersatzteilen und einen Vor-Ort-Service
Womit können wir Ihnen noch helfen

Parameter

Anwendungen

  • Solarzellen – OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
  • Organische Elektronik – OTFT, Pentacen, Chalkogenide, OLED
  • Transparente leitfähige Oxide – InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
  • III-V-Halbleiter – InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN-basierte Bauelemente, Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) und Heteroübergangs-Bipolartransistoren
  • II-VI-Halbleiter – CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
  • Grundlegende Halbleiter – Ge, Si-on-Insulator-Bauelemente (SOI), SiC, dotierte Diamant- und SiGe-basierte Bauelemente: HBTs und FETs
  • DMS (Dilute Magnetic Semiconductor) – GaMnAs, MnZnO
  • Half-Heusler-Verbindungen – TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
  • Topologische Halbmetalle – TaAs, WTe₂, MoTe₂
  • Topologische Isolatoren – Bi₂Te₃, Bi₂Se₃, Sb₂Te₃
  • TMDC (Übergangsmetall-Dichalkogenide) – WS₂, WSe₂, MoS₂, HfS₂
  • Weitere 2D-Materialien – BN, Graphen-Strukturen
  • Hochtemperatur-Supraleiter

Dokumente

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