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MeasureReady FastHall-Station

Ein komplettes Messsystem zur Messung des Hall-Effekts auf Basis des M91 MeasureReady FastHall-Controllers. Das System umfasst einen PC mit Software, einen Permanentmagneten mit 1 T und einen Probenhalter. Das System eignet sich für Proben mit einem Widerstand von bis zu 1 GΩ, was einer Ladungsträgermobilität von 0,01 cm²/V entspricht.

  • Kompakte Lösung zur Messung des Hall-Effekts
  • Messung von Proben mit geringer Ladungsträgermobilität (bis zu 0,01 cm²/V)
  • Widerstandsbereich von 10 mΩ bis 1 GΩ
  • Hohe Messgeschwindigkeit
  • Mögliche Erweiterung: mit flüssigem Stickstoff gekühlte Probenkammer

  • Wir beraten Sie fachkundig zu Ihrer geplanten Anwendung
  • Unser Team ist in der Lage, das Produkt in ein größeres System zu integrieren
  • Wir sorgen für eine schnelle Lieferung von Ersatzteilen und einen Vor-Ort-Service
Womit können wir Ihnen noch helfen

Parameter

Messmöglichkeiten FastHall*-Methode, van der Pauw, Hall-Bar
Abgeleitete Größen Hall-Koeffizient, Hall-Mobilität, spezifischer Widerstand, Ladungsträgerkonzentration
Probenhalter Lötplatte (10 mm × 10 mm × 3 mm) oder Stiftplatte (10 mm × 10 mm × 2 mm)
Magnetfeld Gleichstrom, 1 T (Raumtemperatur), 0,8 T (mit Kryokammer)
Widerstandsbereich 10 mΩ bis 1 GΩ
Hall-Mobilitätsbereich 0,01 bis 10⁶ cm²/V·s
Messgeschwindigkeit < 10 s (typischerweise)
Schnittstellen USB, Ethernet

* Patentiertes Verfahren von Lake Shore Cryotronics, bei dem die Polarität des Magnetfelds während der Messung nicht geändert werden muss

Anwendungen

  • Solarzellen – OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
  • Organische Elektronik – OTFT, Pentacen, Chalkogenide, OLED
  • Transparente leitfähige Oxide – InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
  • III-V-Halbleiter – InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN-basierte Bauelemente, Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) und Heteroübergangs-Bipolartransistoren
  • II-VI-Halbleiter – CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
  • Grundlegende Halbleiter – Ge, Si-on-Insulator-Bauelemente (SOI), SiC, dotierte Diamant- und SiGe-basierte Bauelemente: HBTs und FETs
  • DMS (Dilute Magnetic Semiconductor) – GaMnAs, MnZnO
  • Half-Heusler-Verbindungen – TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
  • Topologische Halbmetalle – TaAs, WTe₂, MoTe₂
  • Topologische Isolatoren – Bi₂Te₃, Bi₂Se₃, Sb₂Te₃
  • TMDC (Übergangsmetall-Dichalkogenide) – WS₂, WSe₂, MoS₂, HfS₂
  • Weitere 2D-Materialien – BN, Graphen-Strukturen
  • Hochtemperatur-Supraleiter

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