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Lake Shore

MeasureReady M91

Messgerät zur Messung des Hall-Effekts auf Basis der patentierten FastHall-Technologie von Lake Shore. Dank der FastHall-Technologie entfällt die Notwendigkeit eines umgekehrten Magnetfelds, was die Messgeschwindigkeit erheblich erhöht. Es handelt sich um eine kostengünstige Option zum Aufbau einer eigenen Messanordnung oder zur Verbesserung einer bestehenden Messanordnung zur Messung des Hall-Effekts und damit verbundener Größen.

  • Umfassende Analyse des Hall-Effekts für Van-der-Pauw- und Hall-Bar-Proben
  • Patentiertes FastHall-Messverfahren ohne die Notwendigkeit eines umgekehrten Magnetfelds
  • Messung von Proben mit geringer Ladungsträgermobilität (bis zu 0,01 cm²/V)
  • Widerstandsbereich von 10 mΩ bis 10 MΩ, erweiterbar auf 200 GΩ
  • Hohe Messgeschwindigkeit und -genauigkeit
  • Automatische Optimierung der Anregungswerte und Messbereiche
OptiXs care

  • Wir beraten Sie fachkundig zu Ihrer geplanten Anwendung
  • Unser Team ist in der Lage, das Produkt in ein größeres System zu integrieren
  • Wir sorgen für eine schnelle Lieferung von Ersatzteilen und einen Vor-Ort-Service
Womit können wir Ihnen noch helfen

Parameter

Messmöglichkeiten FastHall*-Methode – van-der-Pauw-Proben
Herkömmliche Methode – van-der-Pauw- und Hall-Bar-Proben
Abgeleitete Größen Hall-Koeffizient, Hall-Mobilität, spezifischer Widerstand, Ladungsträgerkonzentration
Widerstandsbereich 10 mΩ bis 10 MΩ (200 GΩ)
Hall-Mobilitätsbereich 0,01 bis 106 cm²/V s
Schnittstellen USB 3.0, USB 2.0 (RS-232-Emulation), Ethernet, WLAN, WPAN

* Patentiertes Verfahren der Firma Lake Shore Cryotronics, bei dem die Polarität des Magnetfelds während der Messung nicht geändert werden muss

Anwendungen

  • Solarzellen – OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
  • Organische Elektronik – OTFT, Pentacen, Chalkogenide, OLED
  • Transparente leitfähige Oxide – InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
  • III-V-Halbleiter – InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN-basierte Bauelemente, Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) und Heteroübergangs-Bipolartransistoren
  • II-VI-Halbleiter – CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
  • Grundlegende Halbleiter – Ge, Si-on-Insulator-Bauelemente (SOI), SiC, Bauelemente auf der Basis von dotiertem Diamant und SiGe: HBTs und FETs
  • DMS (Dilute Magnetic Semiconductor) – GaMnAs, MnZnO
  • Half-Heusler-Verbindungen – TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
  • Topologische Halbmetalle – TaAs, WTe₂, MoTe₂
  • Topologische Isolatoren – Bi₂Te₃, Bi₂Se₃, Sb₂Te₃
  • TMDC (Übergangsmetall-Dichalkogenide) – WS₂, WSe₂, MoS₂, HfS₂
  • Weitere 2D-Materialien – BN, Graphen-Strukturen
  • Hochtemperatur-Supraleiter

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