- Optixs
- Produkty
- Kryogenní a magnetické systémy
- Měření Hallova jevu
- MeasureReady FastHall Station
MeasureReady FastHall Station
VÝROBCE: | Lake Shore | KATEGORIE: |
Kompletní měřicí systém pro měření Hallova jevu založený na M91 MeasureReady FastHall kontroleru. Systém zahrnuje PC se softwarem, permanentní 1T magnet a držák vzorků. Systém je vhodný pro vzorky s odporem až 1 GΩ, což odpovídá mobilitě nosiče náboje 0,01 cm2/V.
- Kompaktní řešení pro měření Hallova jevu
- Měření vzorků s nízkou mobilitou náboje (až 0,01 cm2/V)
- Rozsah odporů až 10 mΩ - 1 GΩ
- Vysoká rychlost měření
- Možné rozšíření: vzorková komora chlazená kapalným dusíkem
Máte zájem o MeasureReady FastHall Station
Potřebujete radu?
Parametry
Možnosti měření | Metoda FastHall*, van der Pauw, Hall bar |
Odvozené veličiny | Hallův koeficient, Hallova mobilita, rezistivita, koncentrace nosičů náboje |
Držák vzorku | Deska pro pájení (10 mm x 10 mm x 3 mm) nebo deska s piny (10 mm x 10 mm x 2 mm) |
Magnetické pole | DC, 1 T (RT), 0,8 T (s kryo komorou) |
Rozsah odporu | 10 mΩ až 1 GΩ |
Rozsah Hallovy mobility | 0,01 až 106 cm2/V s |
Rychlost měření | < 10 s (typicky) |
Rozhranní | USB, ethernet |
* patentovaná metoda firmy Lake Shore Cryotronics bez nutnosti měnit polaritu magnetického pole během měření
Aplikace
- Solární články - OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
- Organická elektronika - OTFT, Pentacene, Chalcogenides, OLED
- Transparentní vodivé oxidy- InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
- III-V polovodiče - InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN based devices, high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors
- II-VI polovodiče - CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
- Základní polovodiče - Ge, Si on insulator devices (SOI), SiC, doped diamond SiGe based devices: HBTs and FETs
- DMS (Dilute magnetic semiconductor) - GaMnAs, MnZnO
- Half-Heusler sloučeniny - TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
- Topologické polokovy - TaAs, WTe2, MoTe2
- Topologické izolátory - Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3
- TMDC (Transition-metal Di-chalcogenides) - WS2, WSe2, MoS2, HfS2
- Další 2D materiály - BN, graphene structures
- Vysokoteplotní supravodiče